제품정보

반도체·디스플레이 산업 발전에 핵심 소재인 전자재료를 개발 공급하고 있습니다.

Low-k

Barrier Metal DPT Material Electrode Material Etch Hard Mask film GST Material Gap Fill Material High-k for Capacitor High-k for Metal Gate Low-k Metallization Metal SiO2 / SiN

선폭의 미세화로 인해 Gate delay는 감소하는 반면, 배선공정의 미세화로 인하여 밀집된 Interconnection은 배선간의 정전용량(Capacitance, C)과 저항(Resistance, R)의 증가로 RC 지연효과가 크게 나타남으로 인해 Total Signal Delay Time이 증가하는 문제가 발생합니다. 따라서 소자의 고집적화, 고속화를 위해서는 RC delay를 최소화하는 것이 가장 중요하며 이를 위해서는 저항이 작은 도체의 개발과 낮은 유전율을 갖는 층간 절연물질 개발이 절실히 요구됩니다.

PRODUCT

DMDMOS

Dimethyldimethoxysilane

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OMCTS

Octamethylcyclosiloxane

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TMCTS

1,3,5,7-Tetramethylcyclosiloxane

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