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High-k for Metal Gate

소자의 미세화에 따라, Insulator의 박막화에 따른 Tunneling 현상으로 Gate 누설전류가 급격히 증가하여, 더 이상 소자를 축소할 수 없게 되자 45nm 이하부터 I社에서 Insulator를 High-k 물질로 사용하기 시작했습니다. 이 때부터 사용한 High-k 물질은 Hf 계열의 Source로 업체마다 조금씩 다르며, 적용 공정 또한 조금씩 다릅니다. 현재는 Hf Source를 대체할 물질(Al, Zr, Ta, STO, BST 등)을 찾거나, Hf Source에 다른 물질을 추가하여 증착시키는 방법 등 여러가지 방향으로 연구되고 있습니다. Insulator를 Metal 계열의 High-k로 바꾸면서 Gate 물질 또한 변화가 요구되어 기존의 Poly-silicon에서 Metal Gate로 변경하였습니다.

High-k for Metal Gate

Product Structure Property MSDS
TEMAHf Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
: C12H32N4Hf
: 411.89g/mol
: 25℃/0.1torr
: -
: Yellow Liquid
: Violently react
TEMAZr Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
: C12H32N4Zr
: 323.62g/mol
: 81℃/0.1torr
: -
: Liquid(Colorless to pale Yellow)
: Violently react
A2HP7 Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
: C11H23N3Zr
: 288.5g/mol
: 264℃
: 90℃/0.3torr
: Yellow Liquid
: Slowly react
TBTDETa Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
: C16H39N4Ta
: 468.45g/mol
: 95℃/0.5torr
: 120℃/1.0torr
: Pale Yellow Liquid
: Slowly react
(HMDS)Hf(Py)3 Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
: C18H42N4Si2Hf
: 549.21g/mol
: 142℃/0.8torr
: 91℃/0.1torr
: Yellow Liquid
: Slowly react
HTTB Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
: C16H36O4Hf
: 470.94g/mol
: 90℃/5torr
: -
: Liquid(Colorless )
: Slowly react