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SOC Material(Spin On Carbon Hardmask)

반도체 소자의 고집적화에 따라 초미세 패턴이 요구되고 있으며, 노광 파장도 종래에 사용하던 G-line이나 i-line, KrF 레이저 영역에서 더욱 작은 파장의 빛을 이용한 리소그라피 공정이 요구되고 있습니다(Arf 엑시머 레이저 사용). 또한 패턴의 크기가 작아짐에 따라 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상을 방지하기 위해 포토레지스트의 두께가 점점 얇아지게 되면서 얇아진 포토레지스트 패턴을 이용하여 피식각층을 식각할 수 없게 되어 포토레지스트와 피식각층 사이에 식각 내성이 강한 하드마스크가 도입하게 되었습니다. 하드마스크는 종래 CVD를 이용한 Carbon hard mask를 사용하였으나, 패턴 미세화에 따른 void issue로 인해 Spin 가능한 Carbon polymer로 대체되고 있습니다.

SOC Material

Product of DNF’s Spin on carbon Hardmask (제품명:DSH)
: Advantage of DNF’s Spin on Carbon Hard mask

- High carbon content
- Excellent Etch Performance
- Low fume
- Simple process & High throughput
- Good adhesion
- Excellent Litho Performance
- Low Cost of Ownership