제품정보

반도체·디스플레이 산업 발전에 핵심 소재인 전자재료를 개발 공급하고 있습니다.

High-k for Metal Gate

Barrier Metal DPT Material Electrode Material Etch Hard Mask film GST Material Gap Fill Material High-k for Capacitor High-k for Metal Gate Low-k Metallization Metal SiO2 / SiN

소자의 미세화에 따라, Insulator의 박막화에 따른 Tunneling 현상으로 Gate 누설전류가 급격히 증가하여, 더 이상 소자를 축소할 수 없게 되자 45nm 이하부터 에서 Insulator를 High-k 물질로 사용하기 시작했습니다. 이 때부터 사용한 High-k 물질은 Hf 계열의 Source로 업체마다 조금씩 다르며, 적용 공정 또한 조금씩 다릅니다. 현재는 Hf Source를 대체할 물질(Al, Zr, Ta, STO, BST 등)을 찾거나, Hf Source에 다른 물질을 추가하여 증착시키는 방법 등 여러가지 방향으로 연구되고 있습니다. Insulator를 Metal 계열의 High-k로 바꾸면서 Gate 물질 또한 변화가 요구되어 기존의 Poly-silicon에서 Metal Gate로 변경하였습니다.

PRODUCT

(HMDS)Hf(Py)3

(Hexamethyldisilazane)Tris(pyrrolidine)Hafnium

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A2HP7

Tris(dimethylamido)Zirconium cyclopentadienide

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HTTB

Hafnium(IV) tert-butoxide

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TBTDETa

(t-butylimido)tris(diethylamido)Tantalum

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TEMAHf

Tetrakis(ethylmethylamido)Hafnium

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TEMAZr

Tetrakis(ethylmethylamido)Zirconium

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